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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3122
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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