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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
58
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3179
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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