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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3483
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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