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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3832
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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