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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
58
En -93% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3672
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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