RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
58
En -132% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2261
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link