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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2625
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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