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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3142
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
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