RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En -107% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3673
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link