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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3208
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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