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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2126
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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