RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3711
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link