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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
58
En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
43
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2260
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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