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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
58
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2533
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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