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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
58
En -5% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
55
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2870
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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