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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2537
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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