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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
58
En -132% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2620
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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