RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2943
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link