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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
58
En -66% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2767
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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