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Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Compara
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB vs Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
49
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
34
49
Velocidad de lectura, GB/s
8.5
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2465
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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