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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2204
2363
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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