RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
4124
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link