RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
51
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3114
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link