RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3983
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link