RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
51
En -89% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2823
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link