RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3062
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link