RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3313
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link