RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2872
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link