RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
51
En -59% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2307
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link