RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
73
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
73
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
1439
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link