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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2934
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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