RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
51
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2841
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link