RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3097
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link