RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3278
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link