RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3038
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link