RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2899
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link