RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
51
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
47
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2227
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link