RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
60
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
60
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2136
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link