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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
53
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
15.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
53
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2366
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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