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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2971
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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