RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3364
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link