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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
3206
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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