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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2625
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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