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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2969
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
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