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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2711
2696
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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