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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2332
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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