RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
3540
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link