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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
3837
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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