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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2489
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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