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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
55
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
55
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2117
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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